Comprehensive Kubo-Greenwood modelling of FDSOI MOS devices down to deep cryogenic temperatures - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2022

Comprehensive Kubo-Greenwood modelling of FDSOI MOS devices down to deep cryogenic temperatures

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

francis balestra  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cnrs.hal.science/hal-03852801

Soumis le : mardi 15 novembre 2022-10:34:59

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:13:45

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03852801 , version 1 (15-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03852801 , version 1

Citer

F. Serra Di Santa Maria, Francis Balestra. Comprehensive Kubo-Greenwood modelling of FDSOI MOS devices down to deep cryogenic temperatures. Solid-State Electronics, 2022. ⟨hal-03852801⟩

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