Modelling of self-heating effect in FDSOI and bulk MOSFETs operated in deep cryogenic conditions - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2022

Modelling of self-heating effect in FDSOI and bulk MOSFETs operated in deep cryogenic conditions

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hal-03852787 , version 1 (28-11-2022)

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Citer

Gérard Ghibaudo, M. Cassé, F. Serra Di Santa Maria, C. Theodorou, Francis Balestra. Modelling of self-heating effect in FDSOI and bulk MOSFETs operated in deep cryogenic conditions. Solid-State Electronics, 2022, ⟨10.1016/j.sse.2022.108265⟩. ⟨hal-03852787⟩
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