Article Dans Une Revue
Materials Science in Semiconductor Processing
Année : 2022
Jean-François Michaud : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://cnrs.hal.science/hal-03755512
Soumis le : lundi 22 août 2022-09:08:12
Dernière modification le : jeudi 24 août 2023-15:42:36
Citer
Clément Berger, Daniel Alquier, Micka Bah, Jean-François Michaud. Electrical, morphological and structural properties of Ti ohmic contacts formed on n-type 4H–SiC by laser thermal annealing. Materials Science in Semiconductor Processing, 2022, 151, pp.106983. ⟨10.1016/j.mssp.2022.106983⟩. ⟨hal-03755512⟩
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