Epitaxial growth and materials characterization of single crystalline boron rich B(AI)N ternary alloys - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Epitaxial growth and materials characterization of single crystalline boron rich B(AI)N ternary alloys

Thi Quynh Phuong Vuong
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1042027
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Adama Mballo
  • Fonction : Auteur
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Suresh Sundaram
  • Fonction : Auteur
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Gilles Patriarche
Yacine Halfaya
  • Fonction : Auteur
Tarik Moudakir
  • Fonction : Auteur
Simon Gautier
  • Fonction : Auteur
Paul Voss
  • Fonction : Auteur
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Jean-Paul Salvestrini
Georgia Tech Lorraine [Metz]
CV
Abdallah Ougazzaden
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1084105
Georgia Tech Lorraine [Metz]

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

NADEGE DASTILLUNG  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cnrs.hal.science/hal-03477839

Soumis le : lundi 13 décembre 2021-15:47:55

Dernière modification le : jeudi 13 avril 2023-09:26:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03477839 , version 1 (13-12-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03477839 , version 1

Citer

Thi Quynh Phuong Vuong, Adama Mballo, Suresh Sundaram, Gilles Patriarche, Yacine Halfaya, et al.. Epitaxial growth and materials characterization of single crystalline boron rich B(AI)N ternary alloys. MRS 2021, Dec 2021, Boston, United States. ⟨hal-03477839⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-FCOMTE CENTRALESUPELEC UMI-GTL
26 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More