Optical characterization by photoreflectance of GaN after its partial thermal decomposition

W. Malek; A. Kahouli; M. Bouzidi; N. Chaaben; Abdullah Alshammari; Jean-Paul Salvestrini; A. Rebey

doi:10.1016/j.ijleo.2021.168070

Article Dans Une Revue Optik Année : 2021

Optical characterization by photoreflectance of GaN after its partial thermal decomposition

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1

W. Malek

Fonction : Auteur

A. Kahouli

Fonction : Auteur

M. Bouzidi

Fonction : Auteur

N. Chaaben

Fonction : Auteur

Abdullah Alshammari

Fonction : Auteur

Jean-Paul Salvestrini

Fonction : Auteur
PersonId : 4546
IdHAL : jean-paul-salvestrini
ORCID : 0000-0002-0482-1178
IdRef : 121284727

Georgia Tech Lorraine [Metz]

CV

A. Rebey

Fonction : Auteur

Mots clés

MOVPE GaN Photoreflectance SEM Decomposition Strain Electric field Franz-Keldysh Oscillations MOVPE

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

NADEGE DASTILLUNG : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cnrs.hal.science/hal-03445791

Soumis le : lundi 6 décembre 2021-14:52:25

Dernière modification le : vendredi 15 septembre 2023-14:11:54

Dates et versions

hal-03445791 , version 1 (06-12-2021)

Identifiants

HAL Id : hal-03445791 , version 1
DOI : 10.1016/j.ijleo.2021.168070

Citer

W. Malek, A. Kahouli, M. Bouzidi, N. Chaaben, Abdullah Alshammari, et al.. Optical characterization by photoreflectance of GaN after its partial thermal decomposition. Optik, 2021, 248, pp.168070. ⟨10.1016/j.ijleo.2021.168070⟩. ⟨hal-03445791⟩

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Optical characterization by photoreflectance of GaN after its partial thermal decomposition

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