Improved Simulation of Ion Track Structures Using New Geant4 Models—Impact on the Modeling of Advanced Technologies Response

Audrey Valentin; M. Raine; M. Gaillardin; P. Paillet

doi:10.1109/TNS.2012.2220783

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2012

Improved Simulation of Ion Track Structures Using New Geant4 Models—Impact on the Modeling of Advanced Technologies Response

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Audrey Valentin

Fonction : Auteur
PersonId : 748354
IdHAL : audrey-valentin
ORCID : 0000-0002-3384-8732
IdRef : 130945757

Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux

CV

M. Raine

Fonction : Auteur

M. Gaillardin

Fonction : Auteur

DAM Île-de-France

P. Paillet

Fonction : Auteur

DAM Île-de-France

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Génie des procédés Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

Audrey Valentin : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cnrs.hal.science/hal-03440054

Soumis le : lundi 22 novembre 2021-13:16:54

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-11:24:09

Dates et versions

hal-03440054 , version 1 (22-11-2021)

Identifiants

HAL Id : hal-03440054 , version 1
DOI : 10.1109/TNS.2012.2220783

Citer

Audrey Valentin, M. Raine, M. Gaillardin, P. Paillet. Improved Simulation of Ion Track Structures Using New Geant4 Models—Impact on the Modeling of Advanced Technologies Response. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 59 (6), pp.2697-2703. ⟨10.1109/TNS.2012.2220783⟩. ⟨hal-03440054⟩

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