Geant4 physics processes for microdosimetry simulation: Very low energy electromagnetic models for electrons in silicon - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 2012

Geant4 physics processes for microdosimetry simulation: Very low energy electromagnetic models for electrons in silicon

M. Raine
  • Fonction : Auteur
J.-E. Sauvestre
  • Fonction : Auteur
M. Gaillardin
  • Fonction : Auteur
P. Paillet
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03440042 , version 1 (22-11-2021)

Identifiants

Citer

Audrey Valentin, M. Raine, J.-E. Sauvestre, M. Gaillardin, P. Paillet. Geant4 physics processes for microdosimetry simulation: Very low energy electromagnetic models for electrons in silicon. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 288, pp.66-73. ⟨10.1016/j.nimb.2012.07.028⟩. ⟨hal-03440042⟩
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