High Pressure, High Temperature Behavior of Sn-Ge-N and Si-Ti-N Compounds - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

High Pressure, High Temperature Behavior of Sn-Ge-N and Si-Ti-N Compounds

Shrikant Bhat
  • Fonction : Auteur
R. Faria
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J. C.
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T. Katsura
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Institute for Study of the Earth's Interior
Samuel Bernard
IRCER - Axe 4 : céramiques sous contraintes environnementales
Ralf Riedel
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Technische Universität Darmstadt - Technical University of Darmstadt

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https://cnrs.hal.science/hal-02861710

Soumis le : mardi 9 juin 2020-10:39:12

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02861710 , version 1 (09-06-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02861710 , version 1

Citer

Shrikant Bhat, R. Faria, J. C., T. Katsura, Samuel Bernard, et al.. High Pressure, High Temperature Behavior of Sn-Ge-N and Si-Ti-N Compounds. 9th International Workshop Spinel Nitrides and Related Materials, Sep 2018, Rüdesheim, Germany. ⟨hal-02861710⟩

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