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Journal articles
GaAs (1 1 1) epilayers grown by MBE on Ge (1 1 1): Twin reduction and polarity
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LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures (Route de Nozay 91460 MARCOUSSIS - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR20 (France)
2
C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (Site de DATA4 Route de Nozay 91460 Marcoussis - France)
- Université Paris-Saclay (Espace Technologique, Bat. Discovery - RD 128 - 2e ét., 91190 Saint-Aubin - France)
- UP11 - Université Paris-Sud - Paris 11 (Bâtiment 300 - 91405 Orsay cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR9001 (France)
3
CECILLE - Centre d'Études en Civilisations Langues et Lettres Étrangères (CECILLE) - EA 4074 (Université Charles de Gaulle - Lille3 - Domaine universitaire - Pont de Bois - 59653 Villeneuve d'Ascq Cedex - France)
- Université de Lille (Lille - France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadatas
https://hal-cnrs.archives-ouvertes.fr/hal-02351877
Contributor : Gilles Patriarche <>
Submitted on : Wednesday, November 6, 2019 - 3:40:40 PM
Last modification on : Wednesday, September 16, 2020 - 5:51:51 PM
Contributor : Gilles Patriarche <>
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Last modification on : Wednesday, September 16, 2020 - 5:51:51 PM
Identifiers
- HAL Id : hal-02351877, version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2019.05.006
Collections
Citation
D. Pelati, G. Patriarche, O. Mauguin, L. Largeau, L. Travers, et al.. GaAs (1 1 1) epilayers grown by MBE on Ge (1 1 1): Twin reduction and polarity. Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2019, 519, pp.84-90. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2019.05.006⟩. ⟨hal-02351877⟩
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