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Conference papers

La thermique des transistors GaN en régime transitoire : Théorie et mesures

Résumé : Une équation analytique est présentée pour estimer la résistance thermique et la constante de temps qui possède le plus fort impact sur le comportement thermique du transistor. Cette dernière est calculée à partir des dimensions et des propriétés physiques des matériaux présents pour une structure simplifiée de transistor HEMT GaN pour un seul doigt de grille. Cette équation est validée par des mesures optiques basées sur une méthode de thermoreflectance
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03745103
Contributor : Raphael Sommet Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Wednesday, August 3, 2022 - 4:48:22 PM
Last modification on : Friday, August 5, 2022 - 3:20:49 AM

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Actes_conference_JNM2022-JAKAN...
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  • HAL Id : hal-03745103, version 1

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Anass Jakani, Khalil Karrame, Luc Kakou, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby. La thermique des transistors GaN en régime transitoire : Théorie et mesures. XXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France. ⟨hal-03745103⟩

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